| タイトルコード |
1000100028226 |
| 書誌種別 |
図書 |
| 書名 |
タウア・ニン最新VLSIの基礎 |
| 書名ヨミ |
タウア ニン サイシン ヴイエルエスアイ ノ キソ |
| 版表示 |
第2版 |
| 言語区分 |
日本語 |
| 著者名 |
Yuan Taur／[著]
Tak H.Ning／[著]
芝原 健太郎／監訳
宮本 恭幸／監訳
内田 建／監訳
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| 著者名ヨミ |
Yuan Taur Tak H Ning シバハラ ケンタロウ ミヤモト ヤスユキ ウチダ ケン |
| 著者名原綴 |
Taur Yuan Ning Tak H. |
| 出版地 |
東京 |
| 出版者 |
丸善出版
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| 出版年月 |
2013.1 |
| 本体価格 |
￥８８００ |
| ISBN |
978-4-621-08581-3 |
| ISBN |
4-621-08581-3 |
| 数量 |
35,721p |
| 大きさ |
21cm |
| 分類記号 |
549.7
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| 件名 |
集積回路
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| 注記 |
原タイトル:Fundamentals of modern VLSI devices 原著第2版の抄訳 |
| 注記 |
初版:丸善 2002年刊 |
| 注記 |
文献:p687〜708 |
| 内容紹介 |
CMOSやバイポーラトランジスタの動作を支配するデバイスの基礎を、ディープサブミクロンVLSIデバイスに重要なデバイスパラメータや性能因子に重点をおいて解説。MOSFETのスケール長の理論などを加えた第2版。 |
| 目次タイトル |
1 序章 |
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1.1 VLSIデバイス技術における革新 1.2 最近のVLSIデバイス 1.3 本書の概要 |
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2 デバイス物理の基礎 |
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2.1 シリコン中の電子と正孔 2.2 p-n接合 2.3 MOSキャパシタ 2.4 金属-シリコン接触 2.5 高電界効果 |
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3 MOSFETデバイス |
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3.1 長チャネルMOSFET 3.2 短チャネルMOSFET |
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4 CMOSデバイス設計 |
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4.1 MOSFETスケーリング 4.2 しきい値電圧 4.3 MOSFETのチャネル長 |
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5 CMOS性能因子 |
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5.1 CMOS基本回路 5.2 寄生成分 5.3 デバイスパラメータのCMOS遅延に対する影響度 5.4 先端CMOSデバイスの性能因子 |
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6 バイポーラデバイス |
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6.1 n-p-nトランジスタ 6.2 理想電流-電圧特性 6.3 典型的なn-p-nトランジスタの特性 6.4 回路と過渡応答解析のためのバイポーラデバイスモデル 6.5 降伏電圧 |
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7 バイポーラデバイス設計 |
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7.1 エミッタ領域の設計 7.2 ベース領域の設計 7.3 コレクタ領域の設計 7.4 SiGeベースバイポーラトランジスタ 7.5 現代のバイポーラトランジスタ構造 |
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8 バイポーラ性能因子 |
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8.1 バイポーラトランジスタの性能指標 8.2 デジタルバイポーラ回路 8.3 デジタル回路のためのバイポーラトランジスタ最適化 8.4 ECL回路におけるバイポーラデバイスのスケーリング 8.5 アナログ回路におけるバイポーラデバイスの最適化とスケーリング 8.6 SiGeベースバイポーラトランジスタとGaAs HBTの比較 |
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9 メモリデバイス |
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9.1 スタティックランダムアクセスメモリ 9.2 ダイナミックランダムアクセスメモリ 9.3 不揮発性メモリ |
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10 SOIデバイス |
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10.1 SOI CMOS 10.2 薄膜SOIバイポーラ 10.3 ダブルゲートMOSFET |
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付録A1 CMOSプロセスフロー |
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付録A2 最近のn-p-nバイポーラトランジスタ製造プロセスの概要 |
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付録A3 アインシュタインの関係式 |
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A3.1 ドリフト A3.2 拡散 |
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付録A4 擬フェルミ・ポテンシャルの空間分布 |
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A4.1 少数キャリア擬フェルミ・ポテンシャルの空間分布 A4.2 空間電荷領域内での擬フェルミ・ポテンシャルの変化 |
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付録A5 生成-再結合過程と空間電荷領域電流 |
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A5.1 トラップにおける捕獲と放出 A5.2 定常状態におけるトラップの占有 A5.3 正味の再結合率 A5.4 有効な生成-再結合中心 A5.5 少数キャリアの寿命 A5.6 空乏領域における生成率 A5.7 空間電荷領域内の正味の再結合率 A5.8 空間電荷領域に起因する生成-再結合電流 |
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付録A6 p-nダイオードの拡散容量 |
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A6.1 小信号電子・正孔成分 A6.2 小信号ベース端子電流 A6.3 低周波(ωτpE<1およびωτB<1)拡散容量 A6.4 高周波における拡散容量(ωτpE>1) |
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付録A7 鏡像力による障壁低下 |
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付録A8 なだれ降伏の開始条件 |
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付録A9 サブスレッショルド状態での短チャネル効果の解析解 |
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A9.1 単純化した境界条件による問題の定義 A9.2 解の導出 A9.3 短チャネルFETのしきい値電圧 A9.4 短チャネルサブスレッショルドスロープと基板感度 A9.5 極端なレトログレードドーピング(グラウンドプレーン)MOSFET |
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付録A10 一般化したMOSFETのスケール長モデル |
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A10.1 2領域スケール長方程式 A10.2 3領域スケール長方程式 A10.3 区分的固有関数の直交性 |
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付録A11 バリスティックMOSFETのドレイン電流モデル |
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A11.1 バリスティックMOSFETにおけるソース-ドレイン電流 A11.2 単一サブバンド近似 |
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付録A12 弱反転状態での量子力学的な解析解 |
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A12.1 2次元状態密度 A12.2 量子力学的反転電荷密度 A12.3 低電界量子力学解の3次元連続解への収束 |
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付録A13 2端子対網の電力利得 |
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付録A14 MOSFETトランジスタの単位利得周波数 |
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A14.1 単位電流利得周波数fT A14.2 単位電力利得周波数fmax |
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付録A15 エミッタ抵抗とベース抵抗の決定 |
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A15.1 エミッタ直列抵抗がVBEに依存せず,一定である場合 A15.2 エミッタ直列抵抗がVBEの関数の場合 A15.3 ベース抵抗の直接測定 A15.4 ベース抵抗のVBE依存性 |
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付録A16 真性ベース抵抗 |
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A16.1 電流集中効果が無視できる場合 A16.2 他のエミッタ構造 A16.3 エミッタ電流集中効果の推定 |
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付録A17 Si-SiGe n-pダイオードのエネルギーバンド図 |
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付録A18 バイポーラトランジスタのfTとfmax |
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A18.1 遮断(単位電流利得)周波数fT A18.2 単位電力利得(最大発振)周波数fmax |
