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蔵書情報

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所蔵数	1	在庫数	1	予約数	0

書誌情報サマリ

書名	シリサイド系半導体の科学と技術
著者名	前田佳均／編著
著者名ヨミ	マエダヨシヒト
出版者	裳華房
出版年月	2014.9

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資料情報

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No.	所蔵館	配架場所	請求記号	資料番号	資料種別	状態	個人貸出	在庫
1	西部図書館	一般開架	5498/182/	1102381635	一般	在庫	可	○

書誌詳細

この資料の書誌詳細情報です。

タイトルコード	1000100213093
書誌種別	図書
書名	シリサイド系半導体の科学と技術
書名ヨミ	シリサイドケイハンドウタイノカガクトギジュツ
	資源・環境時代の新しい半導体と関連物質
言語区分	日本語
著者名	前田佳均／編著
著者名ヨミ	マエダヨシヒト
出版地	東京
出版者	裳華房
出版年月	2014.9
本体価格	￥５０００
ISBN	978-4-7853-2920-4
ISBN	4-7853-2920-4
数量	16,324p
大きさ	22cm
分類記号	549.8
件名	半導体
注記	文献:項末
内容紹介	シリサイド系半導体の基礎、結晶成長と素材技術、薄膜形成技術、構造解析、鉄シリサイドの物性、そして発光素子、太陽電池、フォトニック結晶、スピントロニクスへの応用研究などについて解説する。
目次タイトル	第1章シリサイド系半導体の基礎
	1.1 シリサイド系半導体の電子構造と物性　1.2 シリサイド系半導体
	第2章結晶成長技術
	2.1 溶液からの結晶成長　2.2 気相からの結晶成長　2.3 高純度素材の開発
	第3章薄膜形成技術
	3.1 反応性エピタキシャル成長　3.2 分子線エピタキシャル成長　3.3 化学気相成長法　3.4 パルスレーザー堆積法　3.5 スパッタリング成膜法　3.6 イオンビームスパッタ成長法　3.7 シリサイド系半導体ナノ構造　3.8 イオンビーム合成法
	第4章構造解析
	4.1 電子顕微鏡観察　4.2 X線回折法　4.3 ラザフォード後方散乱分光法
	第5章鉄シリサイドの物性
	5.1 電気物性　5.2 バルク結晶の光学特性　5.3 薄膜の光学特性　5.4 フォノン物性　5.5 熱電特性　5.6 鉄系ホイスラー合金の磁性
	第6章新しいシリサイドの合成と物性
	6.1 Siクラスレートの合成と物性　6.2 ナトリウムを利用した遷移金属シリサイドの合成　6.3 BaSi2の合成と物性　6.4 SrSi2の合成と物性
	第7章シリサイド系半導体の応用
	7.1 シリサイド発光素子　7.2 シリサイド太陽電池　7.3 シリサイドオプティクス　7.4 シリサイド・フォトニック結晶　7.5 シリサイド・スピントロニクス