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書誌情報サマリ

書名

SiC/GaNパワー半導体の実装と信頼性評価技術 

著者名 菅沼 克昭/編著
著者名ヨミ スガヌマ カツアキ
出版者 日刊工業新聞社
出版年月 2014.12


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No. 所蔵館 配架場所 請求記号 資料番号 資料種別 状態 個人貸出 在庫
1 西部図書館一般開架5498/184/1102390966一般在庫 

書誌詳細

この資料の書誌詳細情報です。

タイトルコード 1000100239275
書誌種別 図書
書名 SiC/GaNパワー半導体の実装と信頼性評価技術 
書名ヨミ エスアイシー ジーエーエヌ パワー ハンドウタイ ノ ジッソウ ト シンライセイ ヒョウカ ギジュツ
言語区分 日本語
著者名 菅沼 克昭/編著
著者名ヨミ スガヌマ カツアキ
出版地 東京
出版者 日刊工業新聞社
出版年月 2014.12
本体価格 ¥3600
ISBN 978-4-526-07339-7
ISBN 4-526-07339-7
数量 247p
大きさ 21cm
分類記号 549.8
件名 半導体   パワーエレクトロニクス   信頼性(工学)
内容紹介 省エネルギー技術の切り札として世界中で大規模プロジェクトが開始されているワイドバンドギャップ・パワー半導体。その実装技術に焦点を当て、重要と考えられる技術領域の専門家が、様々な角度から現状技術を詳細に述べる。
著者紹介 東北大学工学系大学院原子核工学専攻博士課程修了。大阪大学産業科学研究所教授。専門は実装工学、材料工学。



内容細目

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2014
549.8
半導体 パワーエレクトロニクス 信頼性(工学)
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