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蔵書情報

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所蔵数	1	在庫数	1	予約数	0

書誌情報サマリ

書名	シリコン半導体
著者名	白木靖寛／著
著者名ヨミ	シラキヤスヒロ
出版者	内田老鶴圃
出版年月	2015.10

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資料情報

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No.	所蔵館	配架場所	請求記号	資料番号	資料種別	状態	個人貸出	在庫
1	西部図書館	一般開架	5498/188/	1102419071	一般	在庫	可	○

書誌詳細

この資料の書誌詳細情報です。

タイトルコード	1000100327126
書誌種別	図書
書名	シリコン半導体
書名ヨミ	シリコンハンドウタイ
	その物性とデバイスの基礎
叢書名	物質・材料テキストシリーズ
言語区分	日本語
著者名	白木靖寛／著
著者名ヨミ	シラキヤスヒロ
出版地	東京
出版者	内田老鶴圃
出版年月	2015.10
本体価格	￥３９００
ISBN	978-4-7536-2303-7
ISBN	4-7536-2303-7
数量	9,249p
大きさ	21cm
分類記号	549.8
件名	シリコン(半導体)
注記	文献:p233
内容紹介	現代社会において、極めて重要な材料でありデバイスである、シリコン半導体を学ぶ入門書。シリコンの結晶構造、電気伝導、MOS構造、シリコンフォトニクスなど、半導体に関するほとんどの重要事項を網羅する。
目次タイトル	第1章はじめに
	1-1 情報化社会と半導体　1-2 半導体産業とノーベル賞　1-3 半導体とその種類　1-4 半導体デバイスの種類
	第2章シリコン原子
	2-1 シリコン元素　2-2 原子の量子論
	第3章固体シリコン
	3-1 混成軌道と結合　3-2 固体シリコンの形態
	第4章シリコンの結晶構造
	4-1 ダイヤモンド構造　4-2 結晶面と結晶軸　4-3 格子欠陥　4-4 格子振動
	第5章半導体のエネルギー帯構造
	5-1 絶縁体と金属および半導体　5-2 不純物半導体　5-3 自由電子模型と有効質量
	第6章状態密度とキャリア分布
	6-1 状態密度　6-2 フェルミ分布　6-3 キャリア分布と温度依存性
	第7章電気伝導
	7-1 電気伝導度と移動度　7-2 キャリアの散乱機構　7-3 拡散電流とアインシュタインの関係式　7-4 飽和速度　7-5 空間電荷とポアソンの方程式　7-6 ホール効果　7-7 磁気抵抗効果　7-8 多結晶シリコンとアモルファスシリコンの電気伝導　7-9 キャリアの再結合
	第8章シリコン結晶作製とドーピング
	8-1 シリコン単結晶の作製方法　8-2 エピタキシャル成長　8-3 多結晶シリコンとアモルファスシリコンの作製方法　8-4 結晶成長機構　8-5 SOI基板の作製　8-6 不純物のドーピング
	第9章 pn接合とショットキー接合
	9-1 pn接合　9-2 ショットキー接合
	第10章ヘテロ構造
	10-1 ヘテロ接合の種類　10-2 量子井戸と超格子　10-3 シリコンゲルマニウムヘテロ構造
	第11章 MOS構造
	11-1 MOS構造の形成とエネルギー帯構造　11-2 MOS構造のバイアス依存性　11-3 表面ポテンシャルとMOS容量　11-4 表面準位と界面準位
	第12章 MOSトランジスタ(MOSFET)
	12-1 MOSトランジスタの構造と動作原理　12-2 MOSFETの電流-電圧特性　12-3 MOSFETの周波数特性とスイッチング速度　12-4 MESFETとHEMT　12-5 2次元電子ガスと量子化　12-6 MOSFETの移動度
	第13章バイポーラトランジスタ
	13-1 バイポーラトランジスタの構造と動作原理　13-2 バイポーラトランジスタの電流-電圧特性　13-3 バイポーラトランジスタの高速性　13-4 ヘテロバイポーラトランジスタ
	第14章集積回路(LSI)
	14-1 集積回路の種類　14-2 メモリLSI　14-3 ロジックLSI　14-4 MOSFETのスケーリング則　14-5 シリコンLSIの製造工程
	第15章シリコンパワーデバイス
	15-1 pnpn構造(サイリスタ)　15-2 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ
	第16章シリコンフォトニクス
	16-1 光の吸収と発光　16-2 直接遷移型と間接遷移型　16-3 シリコンの光吸収と発光　16-4 受光デバイス　16-5 光回路素子
	第17章シリコン薄膜デバイス
	17-1 薄膜トランジスタ(TFT)　17-2 薄膜太陽電池