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蔵書情報

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所蔵数	1	在庫数	1	予約数	0

書誌情報サマリ

書名	学びやすい集積回路工学
著者名	黒木幸令／著
著者名ヨミ	クロキユキノリ
出版者	昭晃堂
出版年月	2005.10

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資料情報

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No.	所蔵館	配架場所	請求記号	資料番号	資料種別	状態	個人貸出	在庫
1	西部図書館	一般開架	5497/113/	1101969648	一般	在庫	可	○

書誌詳細

この資料の書誌詳細情報です。

タイトルコード	1000000692821
書誌種別	図書
書名	学びやすい集積回路工学
書名ヨミ	マナビヤスイシュウセキカイロコウガク
言語区分	日本語
著者名	黒木幸令／著
著者名ヨミ	クロキユキノリ
出版地	東京
出版者	昭晃堂
出版年月	2005.10
本体価格	￥２８５０
ISBN	4-7856-1216-9
数量	4,158p
大きさ	21cm
分類記号	549.7
件名	集積回路
内容紹介	半導体材料、デバイス、回路の立場から、集積回路が情報エレクトロニクス機器としてどのように作られ、どのようにシステム的に組み上げられていくか、その関係を明らかにしたテキスト。

内容細目

No.	内容タイトル	内容著者１	内容著者２	内容著者３	内容著者４
1	第1章半導体集積回路とエレクトロニクス産業
2	1.1 エレクトロニクス機器の進歩と半導体集積回路
3	1.2 回路基板と集積回路
4	第2章半導体の基礎
5	2.1 半導体材料
6	2.2 電子と正孔
7	2.3 不純物添加によるキャリア密度の制御
8	2.4 キャリアの分布
9	第3章半導体内でのキャリアの動きとその制御
10	3.1 オームの法則(電界によるドリフト運動)と速度限界
11	3.2 拡散電流(濃度の濃いところから薄いところへの流れ)
12	3.3 キャリアの発生と消滅
13	3.4 pn接合によるキャリア注入
14	3.5 空乏層と電界効果
15	第4章アナログ増幅器
16	4.1 バイポーラ・トランジスタの構造と動作原理
17	4.2 バイポーラ・トランジスタのⅠ-V特性
18	4.3 増幅の原理(AC小信号特性)
19	4.4 電流制御モード増幅回路
20	第5章 MOSFETの基本構造とスイッチング特性
21	5.1 MOSFETの構造
22	5.2 しきい電圧(チャネル形成に必要なゲート電圧)
23	5.3 直流電流電圧特性
24	5.4 飽和特性
25	5.5 小信号増幅能力指数
26	5.6 走行時間と動作周波数
27	5.7 スイッチング特性と寄生容量
28	第6章 CMOS論理ゲート回路
29	6.1 インバータとバッファ
30	6.2 NAND回路とNOR回路
31	6.3 排他的論理EXOR回路
32	6.4 多入力ゲートと複合論理ゲート
33	6.5 パストランジスタとスイッチ
34	6.6 Dフリップ・フロップとラッチ回路
35	第7章メモリ集積回路の基本構造と特性
36	7.1 DRAM
37	7.2 SRAM
38	7.3 不揮発性メモリ
39	7.4 マスクROMとFuse
40	第8章 AD/DA変換回路
41	8.1 AD変換器
42	8.2 DA変換器
43	8.3 電荷再配分型DA変換器
44	8.4 負帰還型AD変換器
45	8.5 アナログ回路の精度を決める要因
46	第9章集積化プロセス
47	9.1 ウエハの製作
48	9.2 熱酸化
49	9.3 熱CVD,プラズマCVD
50	9.4 PVD
51	9.5 不純物拡散とイオン注入
52	9.6 リソグラフィ
53	9.7 エッチング
54	9.8 CMP
55	9.9 CMOSプロセスの流れ
56	第10章集積回路の設計
57	10.1 デバイス設計
58	10.2 プロセス設計
59	10.3 基本回路セル設計
60	10.4 ハードウェア記述言語を用いた設計と論理合成
61	10.5 レイアウト設計(配置配線)
62	10.6 検証
63	10.7 テスト容易化設計
64	第11章スケーリング則の破綻と新材料・プロセスへの期待
65	11.1 トランジスタのスケーリング則
66	11.2 配線のスケーリング
67	11.3 MOSFETの高性能化
68	11.4 低電圧化と低消費電力化