蔵書情報
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書誌情報サマリ
書名 |
現代表面科学シリーズ 4
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著者名 |
日本表面科学会/編集
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著者名ヨミ |
ニホン ヒョウメン カガクカイ |
出版者 |
共立出版
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出版年月 |
2011.9 |
この資料に対する操作
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資料情報
各蔵書資料に関する詳細情報です。
No. |
所蔵館 |
配架場所 |
請求記号 |
資料番号 |
資料種別 |
状態 |
個人貸出 |
在庫
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1 |
中央図書館 | 一般開架 | 4284/17/4 | 0106330516 | 一般 | 在庫 | 可 |
○ |
書誌詳細
この資料の書誌詳細情報です。
タイトルコード |
1000002232548 |
書誌種別 |
図書 |
書名 |
現代表面科学シリーズ 4 |
巻次(漢字) |
4 |
書名ヨミ |
ゲンダイ ヒョウメン カガク シリーズ |
各巻書名 |
表面新物質創製 |
言語区分 |
日本語 |
著者名 |
日本表面科学会/編集
|
著者名ヨミ |
ニホン ヒョウメン カガクカイ |
出版地 |
東京 |
出版者 |
共立出版
|
出版年月 |
2011.9 |
本体価格 |
¥3300 |
ISBN |
978-4-320-03372-6 |
ISBN |
4-320-03372-6 |
数量 |
12,192p |
大きさ |
21cm |
分類記号 |
428.4
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件名 |
表面物理学
表面(工学)
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注記 |
文献:章末 |
内容紹介 |
研究・開発の現場で活かせる現代表面科学の体系を学べるテキスト。4は、表面制御や表面との相互作用を利用した「表面を舞台としたナノスケールの新物質の創製」に焦点を当て、ナノスケールの表面制御技術を分かり易く解説。 |
内容細目
No. |
内容タイトル |
内容著者1 |
内容著者2 |
内容著者3 |
内容著者4 |
1 |
第1章 欠陥制御エピタキシャル成長技術による表面物質創製 |
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2 |
1.1 Si表面上Ge歪エピタキシャル成長によるナノアイランド形成 |
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3 |
1.2 高規則化刃状転位ネットワーク形成による均一歪Si1‐xGex・Ge層の創製 |
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4 |
1.3 GaNのエピタキシャル横方向成長と自己組織的転位伝播 |
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5 |
引用・参考文献 |
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6 |
第2章 走査型プローブ顕微鏡による表面物質創製 |
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7 |
2.1 原子操作による表面物質創製 |
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8 |
2.2 原子操作による導電性分子デバイス |
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9 |
引用・参考文献 |
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10 |
第3章 自己組織化によるナノワイヤ,ナノドット形成 |
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11 |
3.1 VLS法によるナノワイヤ成長 |
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12 |
3.2 シリコン基板上ナノワイヤのヘテロ構造,3次元構造 |
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13 |
3.3 生体物質を用いた金属ナノドット形成 |
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14 |
3.4 自己組織化による界面のデザイン:有機膜形成 |
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引用・参考文献 |
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16 |
第4章 表面を利用した炭素系ナノ材料の創製 |
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17 |
4.1 基板表面上のグラフェンの創製 |
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18 |
4.2 表面構造を利用したカーボンナノチューブの配列制御 |
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19 |
引用・参考文献 |
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