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蔵書情報

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所蔵数	1	在庫数	1	予約数	0

書誌情報サマリ

書名	電子デバイス
著者名	和保孝夫／著
著者名ヨミ	ワホタカオ
出版者	コロナ社
出版年月	2013.5

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資料情報

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No.	所蔵館	配架場所	請求記号	資料番号	資料種別	状態	個人貸出	在庫
1	西部図書館	一般開架	5498/176/	1102342771	一般	在庫	可	○

書誌詳細

この資料の書誌詳細情報です。

タイトルコード	1000100054157
書誌種別	図書
書名	電子デバイス
書名ヨミ	デンシデバイス
叢書名	電子情報通信レクチャーシリーズ
叢書番号	C-14
言語区分	日本語
著者名	和保孝夫／著
著者名ヨミ	ワホタカオ
出版地	東京
出版者	コロナ社
出版年月	2013.5
本体価格	￥３２００
ISBN	978-4-339-01848-6
ISBN	4-339-01848-6
数量	9,184p
大きさ	26cm
分類記号	549.8
件名	半導体　集積回路
注記	文献:p181
内容紹介	半導体を用いた電子デバイスはパソコン、携帯端末などの情報処理、通信機器の心臓部に使われ、その基本性能と機能を決めてきた。この電子デバイスに関して材料から動作原理、集積回路への応用までわかりやすく説明する。
著者紹介	早稲田大学大学院理工学研究科修士課程修了(物理学および応用物理学専攻)。理学博士(早稲田大学)。上智大学教授。
目次タイトル	1.序論
	1.1 対象とする電子デバイス　1.2 本書の構成　1.3 学習の指針
	2.モデルデバイス
	2.1 モデルデバイスの動作　2.2 ディジタル回路への応用　2.3 アナログ回路への応用　本章のまとめ　理解度の確認
	3.半導体におけるキャリヤの挙動
	3.1 物質の電気伝導度　3.2 結晶構造とエネルギーバンド　談話室ダイヤモンド構造　3.3 電流の担い手:キャリヤ　談話室 Geと化合物半導体　3.4 フェルミ準位とキャリヤ濃度　3.5 キャリヤの輸送現象　本章のまとめ　理解度の確認
	4.pn接合
	4.1 pn接合のバンド図　4.2 pn接合の電流電圧特性　4.3 小信号等価回路　4.4 pn接合に関わる諸現象　本章のまとめ　理解度の確認
	5.MOSFET
	5.1 素子構造と動作原理　談話室トランジスタの語源　5.2 MOS構造とMS構造　5.3 電流電圧特性　5.4 等価回路と高速化の指針　本章のまとめ　理解度の確認
	6.BJT
	6.1 素子構造と基本動作　6.2 電流電圧特性　談話室ヘテロ接合バイポーラトランジスタ　6.3 小信号等価回路　6.4 MOSFETとの比較　本章のまとめ　理解度の確認
	7.CMOS論理回路
	7.1 CMOSインバータ　7.2 消費電力と動作速度　7.3 論理回路の構成　7.4 スケール則　談話室リング発振器　本章のまとめ　理解度の確認
	8.メモリ
	8.1 メモリの基本構成　8.2 ROM　8.3 RAM　本章のまとめ　理解度の確認
	9.まとめと今後の展望
	9.1 電子デバイスをめぐる大きな流れ　9.2 トランジスタから集積回路へ