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蔵書情報

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所蔵数	1	在庫数	1	予約数	0

書誌情報サマリ

書名	集積回路のための半導体デバイス工学
著者名	小林清輝／著
著者名ヨミ	コバヤシキヨテル
出版者	コロナ社
出版年月	2018.4

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資料情報

各蔵書資料に関する詳細情報です。

No.	所蔵館	配架場所	請求記号	資料番号	資料種別	状態	個人貸出	在庫
1	西部図書館	一般開架	5497/138/	1102500020	一般	在庫	可	○

書誌詳細

この資料の書誌詳細情報です。

タイトルコード	1000100602100
書誌種別	図書
書名	集積回路のための半導体デバイス工学
書名ヨミ	シュウセキカイロノタメノハンドウタイデバイスコウガク
言語区分	日本語
著者名	小林清輝／著
著者名ヨミ	コバヤシキヨテル
出版地	東京
出版者	コロナ社
出版年月	2018.4
本体価格	￥２５００
ISBN	978-4-339-00909-5
ISBN	4-339-00909-5
数量	8,186p
大きさ	21cm
分類記号	549.7
件名	集積回路　シリコン(半導体)
注記	文献:章末
内容紹介	「シリコンを使ったMOS集積回路」について初めて学ぶ人のための教科書。電気電子・情報通信分野の大学生等を対象に、固体電子論の基礎から、MOSFETの動作原理、LSI製造プロセス、LSIの構成と動作までを解説。
著者紹介	名古屋大学大学院工学研究科博士前期課程修了(応用物理学専攻)。博士(工学)。東海大学教授。
目次タイトル	1章集積回路の微細化が進められた理由
	1.1 なぜ集積回路を微細化するのか　1.2 集積回路の微細化と性能の推移　1.3 近年のLSI　1.4 集積回路の種類と用途　演習問題　引用・参考文献
	2章固体電子論の基礎
	2.1 自由電子の波動関数　2.2 シリコンの結晶構造　2.3 逆格子　2.4 結晶の中の電子の波動関数　2.5 エネルギーバンド　2.6 金属,絶縁体,半導体のエネルギーバンド　演習問題　引用・参考文献
	3章半導体中のキャリヤ
	3.1 真性半導体　3.2 真性半導体の伝導電子密度と正孔密度　3.3 真性フェルミ準位　3.4 有効質量　3.5 正孔　3.6 不純物半導体　3.7 キャリヤ密度とフェルミ準位　3.8 キャリヤのドリフトと移動度　3.9 キャリヤの拡散　演習問題　引用・参考文献
	4章 MOSFETの動作原理
	4.1 MOS構造　4.2 空乏近似　4.3 ポアソン方程式の厳密な解　4.4 フラットバンド電圧　4.5 MOSFETの動作　4.6 線形領域と飽和領域のドレイン電流　4.7 MOSFETの種類　4.8 CMOSインバータ　4.9 比例縮小則　4.10 MOSFETにおける短チャネル効果　演習問題　引用・参考文献
	5章 LSI製造プロセス
	5.1 LSIができるまでの流れ　5.2 製造プロセスのフロー　5.3 要素プロセス技術　5.4 LSIのプロセスフロー(CMOSインバータ)　5.5 MOSFET高性能化技術の進展　5.6 銅配線　5.7 シリコン結晶　演習問題　引用・参考文献
	6章 LSIの構成と動作
	6.1 DRAMの動作　6.2 SRAMの動作　6.3 NOR型フラッシュメモリの構造と動作　6.4 NAND型フラッシュメモリの構造と動作　演習問題　引用・参考文献