検索結果書誌詳細：蔵書検索システム

ログインの状態：ログインしていません。ログインすると利用状況の確認等のサービスを利用できます。		カート（予約候補） 0 登録されていません。

蔵書情報

この資料の蔵書に関する統計情報です。現在の所蔵数在庫数予約数などを確認できます。

所蔵数	1	在庫数	1	予約数	0

書誌情報サマリ

書名	タウア・ニン最新VLSIの基礎
著者名	Yuan Taur／[著]
著者名ヨミ	Yuan Taur
出版者	丸善出版
出版年月	2024.10

この資料に対する操作

カートに入れるを押すとこの資料を予約する候補として予約カートに追加します。

いますぐ予約するを押すと認証後この資料をすぐに予約します。

この資料に対する操作

電子書籍を読むを押すと電子図書館に移動しこの資料の電子書籍を読むことができます。

登録するリストログインメモ

資料情報

各蔵書資料に関する詳細情報です。

No.	所蔵館	配架場所	請求記号	資料番号	資料種別	状態	個人貸出	在庫
1	西部図書館	一般開架	5497/104/	1102759190	一般	在庫	可	○

書誌詳細

この資料の書誌詳細情報です。

タイトルコード	1000101198600
書誌種別	図書
書名	タウア・ニン最新VLSIの基礎
書名ヨミ	タウアニンサイシンヴイエルエスアイノキソ
版表示	第3版
言語区分	日本語
著者名	Yuan Taur／[著] 　 Tak H.Ning／[著] 　宮本恭幸／監訳　内田建／監訳　竹内潔／訳　寺内衛／訳
著者名ヨミ	Yuan Taur　Tak H Ning　ミヤモトヤスユキ　ウチダケン　タケウチキヨシ　テラウチマモル
著者名原綴	Taur Yuan　Ning Tak H.
出版地	東京
出版者	丸善出版
出版年月	2024.10
本体価格	￥１７０００
ISBN	978-4-621-31026-7
ISBN	4-621-31026-7
数量	26,609p
大きさ	21cm
分類記号	549.7
件名	集積回路
注記	原タイトル:Fundamentals of modern VLSI devices 原著第3版の抄訳
注記	文献:p573〜596
内容紹介	CMOSやバイポーラトランジスタの動作を支配するデバイスの基礎を、ディープサブミクロンVLSIデバイスに重要なデバイスパラメータや性能因子に重点をおいて解説。新しい技術に対応するなどした第3版。
目次タイトル	第1章序章
	1.1 VLSIデバイス技術における革新　1.2 本書の概要
	第2章デバイス物理の基礎
	2.1 シリコンのエネルギーバンド　2.2 n型シリコン,p型シリコン　2.3 シリコン中のキャリア輸送　2.4 デバイス動作に関連する基本的な方程式
	第3章 p‐n接合と金属-シリコン接触
	3.1 p‐n接合　3.2 金属-シリコン接触(コンタクト)　3.3 逆方向にバイアスされたダイオードにおける高電界効果
	第4章 MOSキャパシタ
	4.1 MOS構造のエネルギーバンド図　4.2 シリコンにおける静電ポテンシャルおよび電荷分布　4.3 MOSキャパシタの容量-電圧特性　4.4 MOSにおける量子力学的効果　4.5 酸化膜における界面準位と電荷トラップ　4.6 酸化膜における高電界効果と酸化膜の劣化
	第5章長チャネルMOSFETデバイス
	5.1 MOSFETのI-V特性　5.2 MOSFETチャネル移動度　5.3 MOSFETのしきい値電圧　5.4 MOSFET容量
	第6章短チャネルMOSFET
	6.1 短チャネル効果　6.2 高電界輸送　6.3 MOSFETのしきい値電圧とチャネルプロファイル設計　6.4 高電界におけるMOSFETの劣化と破壊
	第7章 SOI MOSFETおよびダブルゲートMOSFET
	7.1 SOI MOSFET　7.2 ダブルゲートMOSFETおよびナノワイヤMOSFET
	第8章 CMOS性能因子
	8.1 MOSFETスケーリング　8.2 CMOS基本回路　8.3 寄生成分　8.4 デバイスパラメータのCMOS遅延に対する影響度　8.5 高周波回路におけるMOSFETの性能因子
	第9章バイポーラデバイス
	9.1 バイポーラトランジスタの基本動作　9.2 理想電流-電圧特性　9.3 典型的なn‐p‐nトランジスタで測定される特性　9.4 ベース走行時間　9.5 エミッタ-ベースダイオードの拡散容量　9.6 回路解析のためのバイポーラデバイスモデル　9.7 降伏電圧
	第10章バイポーラデバイス設計
	10.1 縦型バイポーラトランジスタのエミッタの設計　10.2 縦型バイポーラトランジスタのベース領域の設計　10.3 縦型バイポーラトランジスタのコレクタ領域の設計　10.4 SiGeベース縦型バイポーラトランジスタ　10.5 SOIを用いた対称横型バイポーラトランジスタの設計
	第11章バイポーラ性能因子
	11.1 バイポーラトランジスタの性能指標　11.2 ECL回路と遅延成分　11.3 バイポーラトランジスタの速度対電流特性　11.4 データ解析による縦型トランジスタの最適化　11.5 論理回路でのバイポーラデバイスのスケーリング　11.6 RFおよびアナログ回路での縦型トランジスタ設計最適化　11.7 RFおよびアナログ回路での対称横型トランジスタ設計でのトレードオフと最適化　11.8 対称横型バイポーラトランジスタのユニークな可能性
	第12章メモリデバイス
	12.1 スタティックランダムアクセスメモリ　12.2 ダイナミックランダムアクセスメモリ　12.3 不揮発性メモリ