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蔵書情報

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所蔵数	1	在庫数	1	予約数	0

書誌情報サマリ

書名	半導体デバイスの基礎
著者名	浜口智尋／著
著者名ヨミ	ハマグチチヒロ
出版者	朝倉書店
出版年月	2009.2

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資料情報

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No.	所蔵館	配架場所	請求記号	資料番号	資料種別	状態	個人貸出	在庫
1	西部図書館	一般開架	5498/154/	1102157675	一般	在庫	可	○

書誌詳細

この資料の書誌詳細情報です。

タイトルコード	1000001941278
書誌種別	図書
書名	半導体デバイスの基礎
書名ヨミ	ハンドウタイデバイスノキソ
言語区分	日本語
著者名	浜口智尋／著　谷口研二／著
著者名ヨミ	ハマグチチヒロ　タニグチケンジ
出版地	東京
出版者	朝倉書店
出版年月	2009.2
本体価格	￥３６００
ISBN	978-4-254-22155-8
ISBN	4-254-22155-8
数量	6,214p
大きさ	21cm
分類記号	549.8
件名	半導体
注記	文献:p203～206
内容紹介	ハイテクや情報革命の中核をなす半導体技術の入門的なテキスト。電気伝導やpn接合型デバイスから、最近注目されているヘテロ構造を用いた種々のデバイス、マイクロ波デバイスのガンダイオード、磁気センサまでを解説。
著者紹介	1937年三重県生まれ。大阪大学名誉教授、シャープ株式会社顧問。

内容細目

No.	内容タイトル	内容著者１	内容著者２	内容著者３	内容著者４
1	第1章半導体の物理
2	1.1 半導体とは
3	1.2 結晶の周期性と格子振動
4	1.3 半導体のエネルギー帯構造
5	1.4 有効質量
6	1.5 正孔の概念
7	1.6 電子統計
8	第2章電気伝導
9	2.1 電流の担い手
10	2.2 電子のドリフト運動と移動度
11	2.3 電子散乱の機構
12	2.4 伝導電子の拡散
13	2.5 キャリアの生成と再結合
14	2.6 ホール効果
15	第3章 pn接合型デバイス
16	3.1 pn接合と電位障壁
17	3.2 少数キャリアの注入とpn接合の整流特性
18	3.3 トンネルダイオード
19	3.4 バイポーラトランジスタ
20	第4章界面の物理と電界効果トランジスタ
21	4.1 界面の物性
22	4.2 金属・半導体接合の電気的特性
23	4.3 MOS構造の物理
24	4.4 MOS構造の静電容量
25	4.5 MOSFETの基本動作特性
26	4.6 短チャネルMOSFET特有の問題点
27	4.7 各種MOSFETの構造
28	4.8 基板バイアス効果
29	4.9 電荷転送素子(CCD)
30	第5章光電効果デバイス
31	5.1 光吸収
32	5.2 発光ダイオード(LED)
33	5.3 半導体レーザ
34	5.4 光検出デバイス
35	第6章量子井戸デバイス
36	6.1 量子井戸とは
37	6.2 二次元電子ガスの状態密度
38	6.3 変調ドープと高電子移動度トランジスタ
39	6.4 その他のヘテロ構造トランジスタ
40	6.5 多重量子井戸レーザ
41	第7章その他のデバイス
42	7.1 ガンダイオード
43	7.2 磁気センサ
44	7.3 量子ホール効果を用いた標準抵抗
45	付録
46	A 電子散乱と緩和時間
47	B 磁気抵抗効果
48	C バリスティック伝導とランダウアー公式
49	D 捕獲と再結合(ショックレー・リードの統計)
50	E 誘導放出と分布反転
51	F 遷移確率と吸収係数の導出
52	G インパットダイオード
53	H 圧力センサ