蔵書情報
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書誌情報サマリ
| 書名 |
図説電子デバイス
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| 著者名 |
菅 博／共著
|
| 著者名ヨミ |
スガ ヒロシ |
| 出版者 |
産業図書
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| 出版年月 |
2011.4 |
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資料情報
各蔵書資料に関する詳細情報です。
| No. |
所蔵館 |
配架場所 |
請求記号 |
資料番号 |
資料種別 |
状態 |
個人貸出 |
在庫
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| 1 |
西部図書館 | 一般書庫 | 5498/64/ | 1102263014 | 一般 | 在庫 | 可 |
○ |
書誌詳細
この資料の書誌詳細情報です。
| タイトルコード |
1000002185907 |
| 書誌種別 |
図書 |
| 書名 |
図説電子デバイス |
| 書名ヨミ |
ズセツ デンシ デバイス |
| 版表示 |
増補改訂版 |
| 言語区分 |
日本語 |
| 著者名 |
菅 博／共著
川畑 敬志／共著
矢野 満明／共著
田中 誠／共著
|
| 著者名ヨミ |
スガ ヒロシ カワバタ ケイシ ヤノ ミツアキ タナカ マコト |
| 出版地 |
東京 |
| 出版者 |
産業図書
|
| 出版年月 |
2011.4 |
| 本体価格 |
￥３９００ |
| ISBN |
978-4-7828-5554-6 |
| ISBN |
4-7828-5554-6 |
| 数量 |
15,343p |
| 大きさ |
22cm |
| 分類記号 |
549.8
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| 件名 |
半導体
集積回路
|
| 注記 |
文献:p275～276 |
| 内容紹介 |
エレクトロニクスの核である電子デバイスのテキスト。量子力学の基礎からデバイスの特性に至るまで、復習を交えながらわかりやすく解説する。新しいデバイスの開発やプロセス技術の進展を反映させた増補改訂版。 |
内容細目
| No. |
内容タイトル |
内容著者１ |
内容著者２ |
内容著者３ |
内容著者４ |
| 1 |
1.半導体工学の基礎 |
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| 2 |
1.1 半導体とその種類 |
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1.2 量子力学の基礎 |
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2.固体中の電子のエネルギー準位と運動 |
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| 5 |
2.1 固体のエネルギー帯 |
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| 6 |
2.2 結晶中の電子の運動(自由電子近似) |
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| 7 |
3.半導体中のキャリア密度とキャリアのふるまい |
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| 8 |
3.1 半導体中のキャリア密度 |
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| 9 |
3.2 キャリア密度の温度依存性 |
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| 10 |
3.3 半導体中のキャリアのふるまい |
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| 11 |
4.半導体中の電流 |
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| 12 |
4.1 ドリフト電流と拡散電流 |
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| 13 |
4.2 ドリフト電流 |
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| 14 |
4.3 拡散電流 |
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| 15 |
4.4 拡散方程式 |
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| 16 |
5.pn接合 |
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| 17 |
5.1 pn接合の性質 |
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| 18 |
5.2 pn接合の拡散電流と周波数特性 |
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| 19 |
5.3 pn接合の静電容量 |
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| 20 |
6.接合トランジスタ |
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| 21 |
6.1 トランジスタの種類と原理 |
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| 22 |
6.2 接合トランジスタを流れる電流 |
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| 23 |
6.3 接合トランジスタの電流増幅率 |
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| 24 |
6.4 接合トランジスタの等価回路 |
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| 25 |
7.金属,半導体,絶縁物の接触 |
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| 26 |
7.1 表面バンド構造の形成 |
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| 27 |
7.2 金属-n形半導体接触 |
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| 28 |
7.3 金属-p形半導体接触 |
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| 29 |
7.4 金属-絶縁物-半導体構造 |
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| 30 |
7.5 半導体-半導体接合 |
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| 31 |
8.電界効果トランジスタ |
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| 32 |
8.1 接合形電界効果トランジスタ(JFET) |
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| 33 |
8.2 MOS形電界効果トランジスタ(MOS FET) |
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| 34 |
8.3 FETの小信号等価回路 |
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| 35 |
8.4 MOS FETの各種接地方式 |
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| 36 |
9.集積回路 |
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| 37 |
9.1 集積回路の基礎 |
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| 38 |
9.2 各種IC(アナログICと論理IC) |
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| 39 |
9.3 メモリIC(DRAM,SRAM,EPROM等) |
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| 40 |
9.4 フラッシュメモリ |
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| 41 |
9.5 強誘電体メモリ(FeRAM,FRAM,Fe-NANDフラッシュメモリ) |
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| 42 |
9.6 SSD |
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| 43 |
10.集積回路製造技術 |
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| 44 |
10.1 集積回路(IC) |
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| 45 |
10.2 集積回路の製造工程 |
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| 46 |
10.3 エピタキシー工程 |
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| 47 |
10.4 酸化工程 |
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| 48 |
10.5 選択的ドーピング工程 |
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| 49 |
10.6 素子間の分離工程 |
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| 50 |
10.7 配線工程 |
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| 51 |
10.8 切断およびパッケージング工程 |
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| 52 |
11.光電素子 |
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| 53 |
11.1 光電効果 |
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| 54 |
11.2 光-電気変換素子(光センサ,太陽電池等) |
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| 55 |
11.3 電気-光変換素子(エレクトロルミネセンス,半導体レーザ,発光ダイオード等) |
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| 56 |
12.負性抵抗素子 |
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| 57 |
12.1 負性抵抗特性 |
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| 58 |
12.2 静的負性抵抗素子(エサキダイオード,SCR等) |
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| 59 |
12.3 動的負性抵抗素子(IMPATTダイオード,ガンダイオード等) |
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| 60 |
12.4 負性抵抗素子の応用 |
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| 61 |
13.その他の半導体素子 |
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| 62 |
13.1 ホール素子 |
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| 63 |
13.2 サーミスタ |
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| 64 |
13.3 アモルファス太陽電池と多接合型太陽電池 |
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| 65 |
13.4 ブルーレイディスク |
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| 66 |
13.5 薄膜トランジスタ(TFT) |
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| 67 |
13.6 光電子移動度トランジスタ(HEMT) |
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| 68 |
13.7 CCDとMOSイメージセンサ |
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| 69 |
13.8 液晶と液晶ディスプレイ |
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| 70 |
13.9 有機ELディスプレイ |
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| 71 |
13.10 加速度センサ |
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| 72 |
13.11 ICタグ |
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| 73 |
参考図書 |
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| 74 |
演習問題解答 |
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| 75 |
付録 |
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| 76 |
A.金属の電子論 |
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| 77 |
B.pn接合のエネルギーバンドの描き方 |
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| 78 |
C.MOS構造の理論 |
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| 79 |
D.半導体製造技術 |
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| 80 |
E.フラッシュメモリアレイの書込み,読出し,消去 |
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| 81 |
F.数学公式 |
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| 82 |
G.物理定数,単位の10の整数乗倍の接頭語,周期律表 |
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