タイトルコード |
1000100610765 |
書誌種別 |
図書 |
書名 |
光デバイス入門 |
書名ヨミ |
ヒカリ デバイス ニュウモン |
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pn接合ダイオードと光デバイス |
言語区分 |
日本語 |
著者名 |
末益 崇/著
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著者名ヨミ |
スエマス タカシ |
出版地 |
東京 |
出版者 |
コロナ社
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出版年月 |
2018.5 |
本体価格 |
¥2500 |
ISBN |
978-4-339-00910-1 |
ISBN |
4-339-00910-1 |
数量 |
8,180p |
大きさ |
21cm |
分類記号 |
549.95
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件名 |
オプトエレクトロニクス
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注記 |
文献:p174〜176 |
内容紹介 |
固体物理学を習い始めた学生に向けて、固体物理をベースに光デバイスの基礎を解説したテキスト。pn接合ダイオード、太陽電池、化合物半導体、発光ダイオード、レーザダイオードなどを取り上げる。各章に章末問題も掲載。 |
著者紹介 |
東京工業大学大学院理工学研究科博士課程修了(電気電子工学専攻)。博士(工学)。筑波大学教授。 |
目次タイトル |
1.結晶構造とエネルギーバンド構造 |
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1.1 はじめに 1.2 結晶系と空間格子 1.3 半導体の結晶構造(Si,GaAsを例に) 1.4 エネルギーバンド構造 1.5 k空間 1.6 エネルギーバンドとは 章末問題 |
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2.半導体物性の基礎 |
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2.1 はじめに 2.2 真性半導体のキャリヤ密度・キャリヤ密度のエネルギー分布 2.3 不純物ドープ半導体のキャリヤ密度・キャリヤ密度のエネルギー分布 2.4 光学遷移の基本形 2.5 キャリヤ再結合および生成の過程 2.6 キャリヤ輸送 2.7 欠陥 2.8 ホール効果 章末問題 |
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3.pn接合ダイオード |
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3.1 はじめに 3.2 空乏層幅と内蔵電位 3.3 空乏層容量 3.4 電流連続の式 3.5 暗状態の電流電圧特性 3.6 半導体ヘテロ接合 3.7 金属-半導体接合 3.8 完全空乏近似の妥当性について 章末問題 |
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4.光検出素子の基礎 |
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4.1 はじめに 4.2 光吸収係数とキャリヤ生成割合 4.3 動作モードについて 4.4 応答速度 4.5 雑音 章末問題 |
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5.太陽電池 |
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5.1 はじめに 5.2 太陽光のスペクトル 5.3 光生成キャリヤの輸送メカニズム 5.4 光電流密度 5.5 光照射下のキャリヤ密度分布と電流電圧特性 5.6 表面再結合 5.7 先端技術の導入によるエネルギー変換効率向上の歴史 5.8 結晶Si太陽電池エネルギー変換効率向上の歴史 章末問題 |
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6.化合物半導体 |
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6.1 はじめに 6.2 種類について 6.3 化合物半導体の禁制帯幅と格子定数 6.4 半導体積層構造の結晶成長方法 章末問題 |
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7.発光ダイオード |
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7.1 はじめに 7.2 半導体で自然放出を実現するには 7.3 ホモ接合ダイオードからダブルヘテロ接合ダイオードへ 7.4 静特性と動特性 章末問題 |
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8.レーザダイオード(LD) |
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8.1 はじめに 8.2 LDの基本構造 8.3 導波モードについて 8.4 LDの動作原理 8.5 レーザ発振の条件 8.6 単一モードレーザ 8.7 活性層の低次元化 8.8 静特性と動特性 章末問題 |