| 1 |
1 LEDの歴史 |
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| 2 |
1.1 SiC LEDの歴史 |
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| 3 |
1.2 GaAsとAlGaAs赤外および赤色LEDの歴史 |
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| 4 |
1.3 GaAsP LEDの歴史 |
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| 5 |
1.4 光学活性な不純物をドープしたGaPとGaAsP LEDの歴史 |
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| 6 |
1.5 GaN金属-半導体接合によるELの歴史 |
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| 7 |
1.6 GaInNのpn接合による青,緑,白色LEDの歴史 |
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| 8 |
1.7 AlGaIn可視波長帯のLEDの歴史 |
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| 9 |
1.8 新たな応用分野を切り開きつつあるLEDの歴史 |
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| 10 |
2 発光再結合と非発光再結合 |
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| 11 |
2.1 電子-正孔の発光再結合 |
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| 12 |
2.2 低励起の場合の発光再結合 |
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| 13 |
2.3 高励起の場合の発光再結合 |
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| 14 |
2.4 量子井戸構造における2分子再結合方程式 |
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| 15 |
2.5 ルミネッセンスの減衰 |
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| 16 |
2.6 バルクにおける非発光再結合 |
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| 17 |
2.7 表面における非発光再結合 |
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| 18 |
2.8 発光再結合と非発光再結合の競合 |
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| 19 |
3 発光再結合の理論 |
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| 20 |
3.1 再結合の量子論 |
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| 21 |
3.2 ファン=ルーズブレック-ショックレーモデル |
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| 22 |
3.3 再結合の温度とドーピングに対する依存性 |
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| 23 |
3.4 アインシュタインモデル |
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| 24 |
4 LEDの基礎-電気的特性 |
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| 25 |
4.1 ダイオードの電流-電圧特性 |
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| 26 |
4.2 理想的なI-V特性からのずれ |
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| 27 |
4.3 ダイオードの寄生抵抗の評価 |
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| 28 |
4.4 発光エネルギー |
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| 29 |
4.5 pnホモ接合におけるキャリアの分布 |
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| 30 |
4.6 pnヘテロ接合におけるキャリアの拡散 |
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| 31 |
4.7 ヘテロ構造のデバイス抵抗への影響 |
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| 32 |
4.8 ダブルヘテロ構造におけるキャリア損失 |
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| 33 |
4.9 ダブルヘテロ構造におけるキャリアのオーバフロー |
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| 34 |
4.10 電子ブロッキング層 |
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| 35 |
4.11 ダイオードの電圧 |
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| 36 |
5 LEDの基礎-光学的特性 |
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| 37 |
5.1 内部効率,取出し効率,外部効率,出力効率 |
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| 38 |
5.2 エミッションスペクトル |
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| 39 |
5.3 光のエスケープコーン |
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| 40 |
5.4 放射パターン |
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| 41 |
5.5 ランバート型放射パターン |
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| 42 |
5.6 エポキシキャッピング |
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| 43 |
5.7 発光強度の温度依存性 |
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| 44 |
6 接合温度とキャリア温度 |
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| 45 |
6.1 発光スペクトルの高エネルギー側のテールとキャリアの温度 |
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| 46 |
6.2 接合温度と発光スペクトルのピーク波長 |
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| 47 |
6.3 ダイオードの順方向電圧の温度依存性の理論 |
|
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| 48 |
6.4 順方向電圧を用いた接合温度の測定 |
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| 49 |
6.5 定電流・定電圧直流駆動回路 |
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| 50 |
7 高内部効率LEDの設計 |
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| 51 |
7.1 ヘテロ構造による内部量子効率の増加 |
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| 52 |
7.2 活性領域のドーピング |
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| 53 |
7.3 pn接合の移動 |
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| 54 |
7.4 閉じ込め領域のドーピング |
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| 55 |
7.5 非発光再結合 |
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| 56 |
7.6 格子整合 |
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| 57 |
8 電流の流れの設計 |
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| 58 |
8.1 電流広がり層 |
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| 59 |
8.2 電流広がりの理論 |
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| 60 |
8.3 絶縁性基板上のLEDにおける電流集中 |
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| 61 |
8.4 横方向の電流注入方式 |
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| 62 |
8.5 電流ブロッキング層 |
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| 63 |
9 高光取出し効率構造 |
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| 64 |
9.1 半導体によるバンドギャップ以下光の吸収 |
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| 65 |
9.2 ダブルヘテロ構造 |
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| 66 |
9.3 LEDチップの構造化 |
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| 67 |
9.4 テクスチャをつけた半導体表面 |
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| 68 |
9.5 十字型電極とそのほかの電極形状 |
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| 69 |
9.6 透明基板を用いる技術 |
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| 70 |
9.7 反射防止光学コーティング |
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| 71 |
9.8 フリップチップ実装 |
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| 72 |
10 反射構造 |
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| 73 |
10.1 金属反射構造,反射接合と透過接合 |
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|
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|
| 74 |
10.2 全反射構造 |
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| 75 |
10.3 分布型ブラッグ反射構造 |
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| 76 |
10.4 全方位反射構造 |
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| 77 |
10.5 鏡面反射構造と拡散反射構造 |
|
|
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| 78 |
11 実装 |
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|
| 79 |
11.1 低出力および高出力用パッケージ |
|
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|
| 80 |
11.2 静電圧放電(ESD)に対する防御 |
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| 81 |
11.3 パッケージの熱抵抗 |
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| 82 |
11.4 封止の化学 |
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| 83 |
11.5 高級な封止構造 |
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| 84 |
12 可視LED |
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| 85 |
12.1 GaAsP,GaP,GaAsP:N,GaP:N系 |
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| 86 |
12.2 AlGaAs/GaAs系 |
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| 87 |
12.3 AlGaInP/GaAs系 |
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|
| 88 |
12.4 GaInN系 |
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|
|
|
| 89 |
12.5 高輝度LEDの一般的な特性 |
|
|
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|
| 90 |
12.6 高輝度LEDの光学的特性 |
|
|
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| 91 |
12.7 高輝度LEDの電気的特性 |
|
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| 92 |
13 AlGaInN系と紫外発光素子 |
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|
| 93 |
13.1 UVスペクトル範囲 |
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| 94 |
13.2 AlGaInNのバンドギャップ |
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|
| 95 |
13.3 Ⅲ-Ⅴ族窒化物の分極特性 |
|
|
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|
| 96 |
13.4 Ⅲ-Ⅴ族窒化物のドーピングの活性化 |
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|
| 97 |
13.5 Ⅲ-Ⅴ族窒化物の転位 |
|
|
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|
| 98 |
13.6 360nmより長い波長で発光するUVデバイス |
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| 99 |
13.7 360nmより短い波長で発光するUVデバイス |
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| 100 |
14 共振器からの自然発光 |
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| 101 |
14.1 自然発光の調整 |
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| 102 |
14.2 ファブリ-ペロー共振器 |
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| 103 |
14.3 1次元共振器の光モード密度 |
|
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|
| 104 |
14.4 スペクトル発光の増幅 |
|
|
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|
| 105 |
14.5 積分発光の増幅 |
|
|
|
|
| 106 |
14.6 実験的な発光の増幅と角度依存性 |
|
|
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|
| 107 |
15 共振器発光ダイオード |
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| 108 |
15.1 導入と歴史 |
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| 109 |
15.2 RCLEDのデザインルール |
|
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| 110 |
15.3 930nmで発光するGaInAs/GaAs RCLED |
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| 111 |
15.4 650nmで発光するAlGaInP/GaAs RCLED |
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|
| 112 |
15.5 広い領域で光をリサイクルするLED |
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| 113 |
15.6 閾値のないレーザ |
|
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|
| 114 |
15.7 そのほかのRCLEDデバイス |
|
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|
| 115 |
15.8 そのほかの新しい光閉じ込め発光素子 |
|
|
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| 116 |
16 人間の眼の感度と測光量 |
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|
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| 117 |
16.1 人間の眼の光受容器 |
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|
| 118 |
16.2 基本的な測光放射量 |
|
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|
| 119 |
16.3 眼の感度関数 |
|
|
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|
| 120 |
16.4 準単色光の色 |
|
|
|
|
| 121 |
16.5 視感効果度と光源効率 |
|
|
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|
| 122 |
16.6 明るさと人間視覚の直線性 |
|
|
|
|
| 123 |
16.7 概日リズムと概日感度 |
|
|
|
|
| 124 |
17 測色 |
|
|
|
|
| 125 |
17.1 等色関数と色度図 |
|
|
|
|
| 126 |
17.2 色純度 |
|
|
|
|
| 127 |
17.3 LEDの色度座標 |
|
|
|
|
| 128 |
17.4 色度と色の関係 |
|
|
|
|
| 129 |
18 プランク光源と色温度 |
|
|
|
|
| 130 |
18.1 太陽光スペクトル |
|
|
|
|
| 131 |
18.2 プランク分布 |
|
|
|
|
| 132 |
18.3 色温度と相関色温度 |
|
|
|
|
| 133 |
19 混色と演色性 |
|
|
|
|
| 134 |
19.1 加法混色 |
|
|
|
|
| 135 |
19.2 演色 |
|
|
|
|
| 136 |
19.3 黒体軌跡上の光源の演色評価数 |
|
|
|
|
| 137 |
19.4 黒体軌跡から外れる光源の演色評価数 |
|
|
|
|
| 138 |
20 LEDを利用する白色光源 |
|
|
|
|
| 139 |
20.1 LEDから発生する白色光 |
|
|
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|
| 140 |
20.2 2波長光源による白色の発生 |
|
|
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|
| 141 |
20.3 3波長光源による白色の発生 |
|
|
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|
| 142 |
20.4 3波長白色LED光源の温度依存性 |
|
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|
|
| 143 |
20.5 4波長または5波長光源による白色の発生 |
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|
| 144 |
21 波長変換材料を利用する白色光源 |
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|
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|
| 145 |
21.1 波長変換材料の効率 |
|
|
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|
| 146 |
21.2 波長変換材料 |
|
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|
| 147 |
21.3 蛍光体 |
|
|
|
|
| 148 |
21.4 蛍光体変換型白色LED |
|
|
|
|
| 149 |
21.5 蛍光体の空間分布 |
|
|
|
|
| 150 |
21.6 紫外光励起蛍光体による白色LED |
|
|
|
|
| 151 |
21.7 半導体変換型白色LED |
|
|
|
|
| 152 |
21.8 PRS-LEDの光強度計算 |
|
|
|
|
| 153 |
21.9 PRS-LEDの光源効率計算 |
|
|
|
|
| 154 |
21.10 PRS-LEDのスペクトル |
|
|
|
|
| 155 |
21.11 色素変換型白色LED |
|
|
|
|
| 156 |
22 光通信 |
|
|
|
|
| 157 |
22.1 光ファイバの種類 |
|
|
|
|
| 158 |
22.2 石英ガラスならびにプラスチックファイバの光吸収 |
|
|
|
|
| 159 |
22.3 ファイバ中のモード拡散 |
|
|
|
|
| 160 |
22.4 ファイバ中の物質拡散 |
|
|
|
|
| 161 |
22.5 ファイバの開口数 |
|
|
|
|
| 162 |
22.6 レンズによる接合 |
|
|
|
|
| 163 |
22.7 光無線通信 |
|
|
|
|
| 164 |
23 通信用LED |
|
|
|
|
| 165 |
23.1 無線通信用LED |
|
|
|
|
| 166 |
23.2 光ファイバ通信用LED |
|
|
|
|
| 167 |
23.3 870nmの光を放射する表面放射バラス型通信用LED |
|
|
|
|
| 168 |
23.4 1300nmの光を放射する表面放射型通信用LED |
|
|
|
|
| 169 |
23.5 650nmの光を放射する通信用LED |
|
|
|
|
| 170 |
23.6 端面放射型スーパルミネッセンスLED(SLD) |
|
|
|
|
| 171 |
24 発光ダイオードの変調特性 |
|
|
|
|
| 172 |
24.1 立上りおよび立下り時間,3dB周波数,線形回路理論のバンド幅 |
|
|
|
|
| 173 |
24.2 大きなダイオード容量で制限された立上りおよび立下り時間 |
|
|
|
|
| 174 |
24.3 小さなダイオード容量で制限された立上りおよび立下り時間 |
|
|
|
|
| 175 |
24.4 立上りおよび立下り時間の電圧依存 |
|
|
|
|
| 176 |
24.5 活性領域のキャリア掃出し |
|
|
|
|
| 177 |
24.6 電流パルスの整形 |
|
|
|
|
| 178 |
24.7 3dB周波数 |
|
|
|
|
| 179 |
24.8 アイダイアグラム |
|
|
|
|
| 180 |
24.9 キャリア寿命と3dB周波数 |
|
|
|
|
