蔵書情報
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書誌情報サマリ
| 書名 |
半導体LSI技術
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| 著者名 |
牧野 博之／著
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| 著者名ヨミ |
マキノ ヒロシ |
| 出版者 |
共立出版
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| 出版年月 |
2012.3 |
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資料情報
各蔵書資料に関する詳細情報です。
| No. |
所蔵館 |
配架場所 |
請求記号 |
資料番号 |
資料種別 |
状態 |
個人貸出 |
在庫
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| 1 |
東部図書館 | 書庫別Ａ | 5497/7/ | 2102493526 | 一般 | 在庫 | 可 |
○ |
書誌詳細
この資料の書誌詳細情報です。
| タイトルコード |
1000002284171 |
| 書誌種別 |
図書 |
| 書名 |
半導体LSI技術 |
| 書名ヨミ |
ハンドウタイ エルエスアイ ギジュツ |
| 叢書名 |
未来へつなぐデジタルシリーズ
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| 叢書番号 |
7 |
| 言語区分 |
日本語 |
| 著者名 |
牧野 博之／著
益子 洋治／著
山本 秀和／著
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| 著者名ヨミ |
マキノ ヒロシ マシコ ヨウジ ヤマモト ヒデカズ |
| 出版地 |
東京 |
| 出版者 |
共立出版
|
| 出版年月 |
2012.3 |
| 本体価格 |
￥２８００ |
| ISBN |
978-4-320-12307-6 |
| ISBN |
4-320-12307-6 |
| 数量 |
9,287p |
| 大きさ |
26cm |
| 分類記号 |
549.7
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| 件名 |
集積回路
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| 内容紹介 |
物性や素子の基礎から、大規模集積回路の設計および製造に至るまで、半導体LSI技術全体を網羅したテキスト。主要な技術ごとに、最新技術や将来動向を交えながら簡潔に説明する。 |
| 著者紹介 |
大阪工業大学情報科学部コンピュータ学科准教授。博士(工学)(東京大学)。 |
内容細目
| No. |
内容タイトル |
内容著者１ |
内容著者２ |
内容著者３ |
内容著者４ |
| 1 |
第1章 LSIとはなにか |
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1.1 LSIとは |
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1.2 LSIの歴史と発展 |
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1.3 スケーリング則 |
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1.4 LSIの分類 |
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| 6 |
1.5 LSIの利用分野 |
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第2章 半導体の物性 |
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| 8 |
2.1 半導体とは |
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| 9 |
2.2 原子構造 |
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| 10 |
2.3 化学結合と結晶 |
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| 11 |
2.4 エネルギーバンド構造 |
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| 12 |
2.5 半導体中のキャリア |
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| 13 |
2.6 半導体中の電気伝導 |
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| 14 |
第3章 半導体デバイス |
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| 15 |
3.1 半導体デバイスとは |
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| 16 |
3.2 pn接合とpn接合ダイオード |
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| 17 |
3.3 バイポーラトランジスタ |
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| 18 |
3.4 ショットキー接触とショットキーダイオード |
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| 19 |
3.5 MOS構造とMOS型FET |
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| 20 |
第4章 CMOSデジタル回路 |
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| 21 |
4.1 CMOSデジタル回路とは |
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| 22 |
4.2 MOSトランジスタの構造と表記 |
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| 23 |
4.3 MOSトランジスタの電気特性 |
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| 24 |
4.4 CMOSインバータの動作 |
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| 25 |
4.5 CMOS論理ゲートの構成 |
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| 26 |
第5章 CMOS論理設計 |
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| 27 |
5.1 CMOS論理設計とは |
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| 28 |
5.2 組合せ回路の設計 |
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| 29 |
5.3 順序回路の設計 |
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| 30 |
第6章 LSI設計フロー |
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| 31 |
6.1 LSI設計フローとは |
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| 32 |
6.2 LSI設計フローと各工程の内容 |
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| 33 |
6.3 セルライブラリ |
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| 34 |
6.4 RTL設計 |
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| 35 |
第7章 レイアウト設計 |
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| 36 |
7.1 レイアウト設計とは |
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| 37 |
7.2 レイアウトの基礎 |
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| 38 |
7.3 配置配線 |
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| 39 |
7.4 タイミング検証 |
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| 40 |
第8章 LSIの性能 |
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| 41 |
8.1 LSIの性能 |
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| 42 |
8.2 CMOS回路の動作速度 |
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| 43 |
8.3 CMOS回路の消費電力 |
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| 44 |
第9章 LSIの製造 |
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| 45 |
9.1 LSIの製造と産業について |
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| 46 |
9.2 LSIデバイスの構造 |
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| 47 |
9.3 LSI製造の流れ |
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| 48 |
第10章 シリコンウェーハ製造技術 |
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| 49 |
10.1 シリコンウェーハとは |
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| 50 |
10.2 単結晶シリコン結晶育成 |
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| 51 |
10.3 ウェーハ加工 |
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| 52 |
10.4 シリコンウェーハの種類 |
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| 53 |
10.5 ウェーハ仕様 |
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| 54 |
10.6 ゲッタリング技術 |
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| 55 |
第11章 微細パターン形成技術 |
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| 56 |
11.1 フォトマスク作製技術 |
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| 57 |
11.2 リソグラフィ技術 |
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| 58 |
11.3 エッチング技術 |
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| 59 |
11.4 洗浄技術 |
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| 60 |
第12章 トランジスタ形成技術 |
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| 61 |
12.1 トランジスタの構造 |
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| 62 |
12.2 接合形成技術 |
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| 63 |
12.3 ゲート絶縁膜および成膜技術 |
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| 64 |
12.4 ゲート電極形成技術 |
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| 65 |
第13章 配線形成技術 |
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| 66 |
13.1 LSIにおける配線形成 |
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| 67 |
13.2 配線構造とデバイス性能 |
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| 68 |
13.3 配線形成プロセスとダマシンプロセス |
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| 69 |
13.4 金属膜形成技術 |
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| 70 |
13.5 CMP技術 |
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| 71 |
13.6 層間絶縁膜と形成技術 |
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| 72 |
第14章 パッケージング技術 |
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| 73 |
14.1 実装とパッケージング技術について |
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| 74 |
14.2 ウェーハからパッケージングまで |
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| 75 |
14.3 パッケージの種類と進化 |
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| 76 |
14.4 マルチチップパッケージとSiPそして3次元実装へ |
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| 77 |
第15章 計測・検査・評価技術とクリーン化技術 |
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| 78 |
15.1 LSIの製造における歩留り向上と製造管理 |
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| 79 |
15.2 クリーン化技術 |
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