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資料情報
各蔵書資料に関する詳細情報です。
No. |
所蔵館 |
配架場所 |
請求記号 |
資料番号 |
資料種別 |
状態 |
個人貸出 |
在庫
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1 |
西部図書館 | 一般開架 | 5498/146/2 | 1102124146 | 一般 | 在庫 | 可 |
○ |
書誌詳細
この資料の書誌詳細情報です。
タイトルコード |
1000001859236 |
書誌種別 |
図書 |
書名 |
半導体デバイスの基礎 中 |
巻次(漢字) |
中 |
書名ヨミ |
ハンドウタイ デバイス ノ キソ |
各巻書名 |
ダイオードと電界効果トランジスタ |
言語区分 |
日本語 |
著者名 |
B.L.アンダーソン/著
R.L.アンダーソン/著
樺沢 宇紀/訳
|
著者名ヨミ |
B L アンダーソン R L アンダーソン カバサワ ウキ |
著者名原綴 |
Anderson Betty Lise Anderson Richard L. |
出版地 |
東京 |
出版者 |
シュプリンガー・ジャパン
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出版年月 |
2008.5 |
本体価格 |
¥4800 |
ISBN |
978-4-431-10029-4 |
ISBN |
4-431-10029-4 |
数量 |
9p,p300~689 |
大きさ |
21cm |
分類記号 |
549.8
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件名 |
半導体
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各巻件名 |
ダイオード |
注記 |
原タイトル:Fundamentals of semiconductor devices |
注記 |
文献:章末 |
内容細目
No. |
内容タイトル |
内容著者1 |
内容著者2 |
内容著者3 |
内容著者4 |
1 |
第Ⅱ部 ダイオード |
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2 |
第5章 理想的なpnホモ接合 |
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3 |
第6章 一般のダイオード |
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4 |
補遺2:ダイオードに関する補足 |
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5 |
第Ⅲ部 電界効果トランジスタ(FET) |
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6 |
第7章 MOSFET |
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7 |
第8章 FETに関する追加的な考察 |
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8 |
補遺3:MOSデバイスに関する補足 |
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