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蔵書情報

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所蔵数	1	在庫数	1	予約数	0

書誌情報サマリ

書名	光デバイス入門
著者名	末益崇／著
著者名ヨミ	スエマスタカシ
出版者	コロナ社
出版年月	2018.5

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資料情報

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No.	所蔵館	配架場所	請求記号	資料番号	資料種別	状態	個人貸出	在庫
1	西部図書館	一般開架	54995/57/	1102533862	一般	在庫	可	○

書誌詳細

この資料の書誌詳細情報です。

タイトルコード	1000100610765
書誌種別	図書
書名	光デバイス入門
書名ヨミ	ヒカリデバイスニュウモン
	pn接合ダイオードと光デバイス
言語区分	日本語
著者名	末益崇／著
著者名ヨミ	スエマスタカシ
出版地	東京
出版者	コロナ社
出版年月	2018.5
本体価格	￥２５００
ISBN	978-4-339-00910-1
ISBN	4-339-00910-1
数量	8,180p
大きさ	21cm
分類記号	549.95
件名	オプトエレクトロニクス
注記	文献:p174〜176
内容紹介	固体物理学を習い始めた学生に向けて、固体物理をベースに光デバイスの基礎を解説したテキスト。pn接合ダイオード、太陽電池、化合物半導体、発光ダイオード、レーザダイオードなどを取り上げる。各章に章末問題も掲載。
著者紹介	東京工業大学大学院理工学研究科博士課程修了(電気電子工学専攻)。博士(工学)。筑波大学教授。
目次タイトル	1.結晶構造とエネルギーバンド構造
	1.1 はじめに　1.2 結晶系と空間格子　1.3 半導体の結晶構造(Si,GaAsを例に)　1.4 エネルギーバンド構造　1.5 k空間　1.6 エネルギーバンドとは　章末問題
	2.半導体物性の基礎
	2.1 はじめに　2.2 真性半導体のキャリヤ密度・キャリヤ密度のエネルギー分布　2.3 不純物ドープ半導体のキャリヤ密度・キャリヤ密度のエネルギー分布　2.4 光学遷移の基本形　2.5 キャリヤ再結合および生成の過程　2.6 キャリヤ輸送　2.7 欠陥　2.8 ホール効果　章末問題
	3.pn接合ダイオード
	3.1 はじめに　3.2 空乏層幅と内蔵電位　3.3 空乏層容量　3.4 電流連続の式　3.5 暗状態の電流電圧特性　3.6 半導体ヘテロ接合　3.7 金属-半導体接合　3.8 完全空乏近似の妥当性について　章末問題
	4.光検出素子の基礎
	4.1 はじめに　4.2 光吸収係数とキャリヤ生成割合　4.3 動作モードについて　4.4 応答速度　4.5 雑音　章末問題
	5.太陽電池
	5.1 はじめに　5.2 太陽光のスペクトル　5.3 光生成キャリヤの輸送メカニズム　5.4 光電流密度　5.5 光照射下のキャリヤ密度分布と電流電圧特性　5.6 表面再結合　5.7 先端技術の導入によるエネルギー変換効率向上の歴史　5.8 結晶Si太陽電池エネルギー変換効率向上の歴史　章末問題
	6.化合物半導体
	6.1 はじめに　6.2 種類について　6.3 化合物半導体の禁制帯幅と格子定数　6.4 半導体積層構造の結晶成長方法　章末問題
	7.発光ダイオード
	7.1 はじめに　7.2 半導体で自然放出を実現するには　7.3 ホモ接合ダイオードからダブルヘテロ接合ダイオードへ　7.4 静特性と動特性　章末問題
	8.レーザダイオード(LD)
	8.1 はじめに　8.2 LDの基本構造　8.3 導波モードについて　8.4 LDの動作原理　8.5 レーザ発振の条件　8.6 単一モードレーザ　8.7 活性層の低次元化　8.8 静特性と動特性　章末問題